半導体素子のコンタクト形成方法

Method of forming semiconductor element contact

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 コンタクト抵抗を低減するための半導体素子 のコンタクト形成方法を提供する。 【解決手段】 コンタクトの形成時に生成可能な不導体 薄膜は、コンタクトホールの形成直後、高周波前処理す るか、熱的に分解することにより取り除かれる。また、 不導体薄膜の再生成は、コンタクトホールに充填される 耐熱金属物質20の被着直前、所定の混合比率を有する 混合ガスの雰囲気中で窒化チタンの反応防止膜18をコ ンタクトホールの上面に被着することにより防止され る。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming contacts of semiconductor elements which reduces contact resistance. SOLUTION: A nonconductive film which is formable at forming of contacts is removed by high frequency pretreatment or thermal decomposition immediately after forming contact holes and prevented from re-growing, by depositing Ti nitride antireflection films 1, 8 to the top faces of the contact holes in a mixed gas atmosphere, having specified mix ratio immediately prior to depositing a heat-resistive metal 20 to be filled in the contact holes. COPYRIGHT: (C)1999,JPO

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