Device and method for treating substrate

基板処理装置および基板処理方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-treating device which has a relatively simple structure and can treat substrates at a high throughput and a substrate-treating method which can be suitably spplied to the device. SOLUTION: A substrate-treating device is provided with a reaction tube 60, a water-supporting base 10, an upper resistance heating heater 70, and a lower resistance heating heater 80. The wafer-supporting base 10 is provided with a lower wafer-supporting base 30 and an upper wafer supporting base 20. Wafers 50 are horizontally mounted on the lower and upper wafer supporting bases 30 and 20 one often another, and circular openings (23 and 33) which are slightly larger than the wafers 50 are respectively formed through the upper and lower wafer supporting bases 20 and 30. The wafer 50 mounted on the upper wafer supporting base 20 is heated directly with the upper resistance heating hater 70, and the wafer 50 mounted on the lower wafer supporting base 30 is heated directly with the lower resistance heating heater 80 via the opening (33).
(57)【要約】 【課題】比較的簡単な構造であってしかも高いスループ ットが得られる基板処理装置およびそのような装置に好 適に適用可能な基板処理方法を提供する。 【解決手段】反応管60と、ウェーハ支持台10と、上 抵抗加熱ヒータ70と下抵抗加熱ヒータ80とを備え る。ウェーハ支持台10は下側ウェーハ支持台30と上 側ウェーハ20とを備える。ウェーハ50を1枚ずつ下 側ウェーハ支持台30と上側ウェーハ20に水平状態で それぞれ搭載する。上側ウェーハ支持台20、下側ウェ ーハ支持台30にはウェーハ50より多少大きい円形の 開口23、33をそれぞれ設ける。上側ウェーハ支持台 20に搭載したウェーハ50を上抵抗加熱ヒータ70で 直接加熱し、下側ウェーハ支持台30に搭載したウェー ハ50を開口33を介して下抵抗加熱ヒータ70で直接 加熱する。

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    JP-2006269454-AOctober 05, 2006Koyo Thermo System Kk, 光洋サーモシステム株式会社均熱部材及び熱処理装置