半導体装置および半導体装置のリセット方法

Semiconductor device and resetting method for semiconductor device

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a resetting method for it, wherein the semiconductor device is protected from an excessive current without replacing the semiconductor device. SOLUTION: To a drain source of a floating gate type transistor 8, a VCC 6 and internal circuit 5 are connected respectively. To a control gate of the floating gate type transistor 8, a positive voltage is applied from a VCG 9, and then the VCC 6 and the internal circuit 5 are electrically connected, and when an excess current flows between the VCC 6 and the internal circuit 5, a threshold value of the floating gate type transistor 8 rises, and functions as a circuit breaker by turning off the floating gate type transistor 8.
(57)【要約】 【課題】 半導体装置自体を交換することなく、過大電 流から半導体装置を保護することができないという問題 点があった。 【解決手段】 フローティングゲート型トランジスタ8 のドレイン・ソースにV CC 6および内部回路5をそれぞ れ接続して、フローティングゲート型トランジスタ8の コントロールゲートにV CG 9より正電圧を印加し、V CC 6および内部回路5を、電気的に接続し、V CC 6と内部 回路5との間に過大電流が流れればフローティングゲー ト型トランジスタ8のしきい値が上昇し、フローティン グゲート型トランジスタ8がOFFすることによりサー キットブレーカとして用いる。

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    JP-2011035209-AFebruary 17, 2011Renesas Electronics Corp, ルネサスエレクトロニクス株式会社半導体装置
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